行政院國家科學委員會工程技術發展處 晶片設計製作中心

CIC 於八十六年度除了仍將繼續提供委由法國CMP製作之 AMS 0.8um DPDM BiCMOS晶片製作服務之外， 陸續自國外引進兩個先導性的製程，包括比利時IMEC提供之 Alcatel-Mietec 2.0um HV HBIMOS(100V) 製程以及法國CMP提供之 PML 0.2um HEMT GaAs製程。有關如何申請國外製程之技術資料 (包括SPICE Model Parameters、 Design Rules、以及Technology/Verification Files等) 以及委託國外晶片製作等詳情， 請洽CIC工程師莊英宗 (分機167)。以下為各製程之概述:

(1). MS 0.8um DPDM BiCMOS :

此為 P-Epi Twinwell 製程，其電壓源範圍為2.2V 至5.5V。所提供之NPN 電晶體的Ft可達12 GHz ，另具有Poly1/Poly2電容，適用於 Analog及Mixed Signal 的電路設計。此製程預估的時程約19週 ，屆時每設計案將可取得5顆包裝好的IC及10 個未包裝的dies。

(2). Alcatel-Mietec 2.0um HBIMOS :

此製程適用於高電壓(100V) 的數位、類比以及混合訊號(Mixed-signal) 特殊應用積體電路(ASIC)設計。 此2.0um SPDM HBIMOS製程除了提供18V的CMOS、40V 的Bipolar以及 100V的DMOS等電晶體之外，還包括高/中阻值的 Poly 電阻與高線性的Poly/Diffusion電容。其中NPN(PNP) 的Beta與Ft分別為100(300) 與600MHz (7MHz)；而PDMOS、NDMOS 與FNDMOS的Drain-Source Breakdown Voltage BV_ds 分別為< -100V，> 80V，> 80V 。此製程預估的時程約16週，屆時每設計案將可取得10個未包裝的dies ；若需包裝，其費用另計。

(3). PML 0.2um HEMT GaAs :

此製程技術為"Pseudomorphic HEMT on GaAs 0.2um (D02AH) "，其HEMT Depletion Transistors的Ft可達 62 GHz，而在12GHz時其雜訊係數(Noise Figure)為0.9dB 。另外，此製程還提供Diodes、Resistors 、Capacitors、 Air Bridges以及Via Holes 等元件。此製程預估的時程約26週，但不提供包裝。